لطفا جهت دانلود مقاله بر روی گزینه دانلود کلیک کنید
چکیده:
سلول حافظه SRAM شش ترانزيستوري معمولي در ولتاژهاي کم قابليت نوشتن مناسبي ندارد و نيز دچار خطاهاي خواندن مي شود. در اين مقاله با ارائه يک طرح هشت ترانزيستوري براي سلول حافظه، علاوه بر بهبود قابليت نوشتن، ميزان خطاي خواندن نيز به شدت کاهش يافته است. بدين ترتيب سلول ارائه شده توانايي کارکردن در ولتاژهاي زيرآستانه در حد 275 ميلي ولت را دارد، در حالي که سلول حافظه شش ترانزيستوري معمولي فاقد اين قابليت است. با طراحي سلول ارائه شده و سلول شش ترانزيستوري معمولي و نيز سه سلول ديگر از بين مقالات اخير براي مقايسه در تکنولوژي 90 نانومتر صنعتي و انجام شبيه سازي با HSPICE ملاحظه شد که طرح مذکور در ولتاژ تغذيه 800 ميلي ولت، تاخير خواندن و نوشتن را به ترتيب به ميزان 50% و 47.5%، نسبت به بهترين طرح از بين چهار طرح فوق کاهش داده است. همچنين ميزان بهبود توان مصرفي يک عمل نوشتن در اين ولتاژ، نسبت به بهترين طرح، 40% بوده است. از بين پنج طرح مقايسه شده، تنها طرح ارائه شده ما قابليت کارکرد صحيح در ولتاژهاي زير آستانه را دارد. در انتها با تهيه چينش طرح ارائه شده در تکنولوژي 180 نانومتر صنعتي و انجام شبيه سازي بعد از چينش، اثر اضافه شدن پارامترهاي پارازيتي در مدار چينش را مورد بررسي قرار داده ايم.
[gview file=”http://www.sid.ir/fa/VEWSSID/J_pdf/7001313930106.pdf” save=”1″]
